GeneSiC

Innovation f├╝r Energieeffizienz ÔÇô Ihr Partner f├╝r zukunftsorientierte Leistungselektronik

Als Pionier in der Siliziumkarbidtechnologie f├╝hrt GeneSiC Semiconductor Inc. ausgew├Ąhlte SiC MOSFETs und SiC Schottky Dioden im Portfolio. Gleichzeitig hat der Weltmarktf├╝hrer aus Amerika in Silizium investiert, wodurch sein Angebot auch Bauelemente wie Br├╝ckengleichrichter und Gleichrichtermodule umfasst und GeneSiC damit seinem Slogan 'Energy Efficiency Through Innovation' gerecht wird. Vor ein paar Jahren hat sich GeneSiC mit dem GaN-Unternehmen Navitas zusammengeschlossen. Die Hauptapplikationen liegen in den Bereichen des Automobilsektors, der Industrie, der Luft- und Raumfahrt, der Verteidigungsbranche und erneuerbaren Energien oder dem Smart Grid.

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Key Facts
2004 gegr├╝ndet
Hauptsitz in Virginia, USA
Seit 2022 Teil von Navitas Semiconductor
Produktionsst├Ątten in Texas, USA
Wissenswert
F├╝hrende Patente f├╝r SiC-Ger├Ątedesign- und Fertigungstechniken
State-of-the-Art Fertigung f├╝r Automobilbranchen-zertifizierte Prozesse, h├Âchste Qualit├Ąt und kurze Lieferzeiten
Einzigartige SiC MOSFET Performance und Zuverl├Ąssigkeit
Niedriger Durchlassverlust (VF) und Sperrschichtkapazit├Ąt (Cj) bei SiC Schottky MPSÔäó
MOSFETs

SiC MOSFETs

SiC Dioden

Infocenter

brochure_Power_Device_GeneSiC_2023_EN.pdf
6 MB
PDF-File
brochure_selectorGuide_sic-mosfet_GeneSIC_2023_EN.pdf
301 KB
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brochure_selectorGuide_sic-schottky-mps_GeneSIC_2023_EN.pdf
301 KB
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