GeneSiC

Innovation für Energieeffizienz – Ihr Partner für zukunftsorientierte Leistungselektronik

Als Pionier in der Siliziumkarbidtechnologie führt GeneSiC Semiconductor Inc. ausgewählte SiC MOSFETs und SiC Schottky Dioden im Portfolio. Gleichzeitig hat der Weltmarktführer aus Amerika in Silizium investiert, wodurch sein Angebot auch Bauelemente wie Brückengleichrichter und Gleichrichtermodule umfasst und GeneSiC damit seinem Slogan 'Energy Efficiency Through Innovation' gerecht wird. Vor ein paar Jahren hat sich GeneSiC mit dem GaN-Unternehmen Navitas zusammengeschlossen. Die Hauptapplikationen liegen in den Bereichen des Automobilsektors, der Industrie, der Luft- und Raumfahrt, der Verteidigungsbranche und erneuerbaren Energien oder dem Smart Grid.

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Key Facts
2004 gegründet
Hauptsitz in Virginia, USA
Seit 2022 Teil von Navitas Semiconductor
Produktionsstätten in Texas, USA
Wissenswert
Führende Patente für SiC-Gerätedesign- und Fertigungstechniken
State-of-the-Art Fertigung für Automobilbranchen-zertifizierte Prozesse, höchste Qualität und kurze Lieferzeiten
Einzigartige SiC MOSFET Performance und Zuverlässigkeit
Niedriger Durchlassverlust (VF) und Sperrschichtkapazität (Cj) bei SiC Schottky MPS™
MOSFETs

SiC MOSFETs

SiC Dioden

Infocenter

brochure_Power_Device_GeneSiC_2023_EN.pdf
6 MB
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brochure_selectorGuide_sic-mosfet_GeneSIC_2023_EN.pdf
301 KB
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brochure_selectorGuide_sic-schottky-mps_GeneSIC_2023_EN.pdf
301 KB
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