Mit über 160 SiC MOSFETs und 130 SiC Dioden bieten wir Ihnen eine breite Auswahl an Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleitern. Viele unserer Bauteile sind AEC-Q101 qualifiziert und erfüllen höchste Qualitäts- und Zuverlässigkeitsstandards.
Unsere Lösungen sind ideal für anspruchsvolle Anwendungen in der Automobilindustrie, bei Elektrofahrzeugen, IT-Stromversorgungen, Photovoltaik-Wechselrichtern und Energiespeichersystemen.
Dank unserer starken Partnerschaften mit führenden Herstellern wie SemiQ und PNJ können wir Ihnen leistungsstarke und effiziente Produkte für Ihre Applikation bieten.
Unser umfangreiches SiC-Portfolio
SiC MOSFETs
Diskrete:
- Break-Down Voltage 650V: ≥ 20mOhm@25°C
- Break-Down Voltage 750V: ≥ 8mOhm@25°C
- Break-Down Voltage 1200V: ≥ 13mOhm@25°C
- Break-Down Voltage 1700V: ≥ 20mOhm@25°C
- Break-Down Voltage 2000V: ≥ 40mOhm@25°C
⇒ Verfügbar in allen gängigen diskreten TO-Gehäusen sowie in isolierter oder nicht isolierter Topside-Cooling-Ausführung
⇒ Entwickelt für den Einsatz in Industrie- und Automobilanwendungen (AEC-Q101)
Module:
- Break-Down Voltage 750V: ≥1,1mOhm@25°C
- Break-Down Voltage 1200V: ≥1,6mOhm@25°C
- Break-Down Voltage 1700V: ≥7mOhm@25°C
⇒ Anwendung führender Technologien wie „Over-Molding“, „Silversintering“ oder „Copper-Wire-Bonding“
⇒ Verfügbar in verschiedenen Topologien vom Single-Switch bis Six-Pack
⇒ Verfügbar in den gängigen Industriestandardgehäusen
⇒ Kundenspezifische Anpassungen oder Neuentwicklungen sind möglich
⇒ Entwickelt für den Einsatz in Industrie- und Automobilanwendungen (AEC-Q101)
SiC Dioden
Diskrete:
- Break-Down Voltage 650V: ≤60A@25°C
- Break-Down Voltage 1200V: ≤60A@25°C
- Break-Down Voltage 1700V: ≤50A@25°C
⇒ Verfügbar in allen gängigen diskreten Gehäusen
⇒ Entwickelt für den Einsatz in Industrie- und Automobilanwendungen (AEC-Q101)
Module:
- Break-Down Voltage 600V: ≤50A@25°C
- Break-Down Voltage 650V: ≤100A@25°C
- Break-Down Voltage 1200V: ≤400A@25°C
- Break-Down Voltage 1700V: ≤100A@25°C
⇒ Verfügbar in den gängigen Industriestandardgehäusen
⇒ Entwickelt für den Einsatz in Industrie- und Automobilanwendungen (AEC-Q101)
Mit den Herstellern SemiQ und PNJ bieten wir Ihnen zwei herausragende Partner, die mit ihren innovativen Lösungen höchste Ansprüche erfüllen:
SemiQ
SemiQ ist ein führender Hersteller, der sich auf Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleiter spezialisiert hat. Besonders im Bereich der 1200V SiC-MOSFETs bietet das Unternehmen eine breite Produktpalette an. Diese zeichnen sich durch nahezu verlustfreies Schalten, hohe Effizienz und exzellente thermische Leistungsfähigkeit aus. Diese Eigenschaften machen die SiC-MOSFETs von SemiQ ideal für anspruchsvolle Anwendungen wie Elektrofahrzeuge, Netzteile, Rechenzentren, Solarwechselrichter und industrielle Steuerungen.
Darüber hinaus bietet der Hersteller mit seiner redundanten Lieferkette und einer sorgfältigen Prüfung jedes einzelnen Bauelements mithilfe des „Known-Good-Die“-Programms (KGD) höchste Zuverlässigkeit. Alle Chips werden elektrisch sortiert und optisch inspiziert. Prüfprotokolle stehen für jeden einzelnen Chip zu Verfügung.
Seit 2012 erfolgen Design und Entwicklung am Stammsitz in Lake Forest/Kalifornien, USA. Seitdem hat sich SemiQ als weltweit zuverlässiger Partner etabliert.
Weitere Vorteile der SemiQ Bauelemente im Überblick:
- Best in class V(th)
- 100% Burn in Test
- 100% Spannungsfestigkeitsprüfung: Prüfung erfolgt mit mehr als 1400V
PNJ
PNJ Semiconductor ist ein junges, dynamisches Unternehmen, das sich seit seiner Gründung im Jahr 2018 auf Wide-Bandgap-Leistungsbauelemente spezialisiert hat.
Durch seine Qualität und Innovationskraft ist PNJ Technologieführer im asia-pazifischen Raum und somit unverzichtbarer Partner für die dortigen Marktführer in der E-Mobilität.
Das Portfolio umfasst SiC-Dioden und SiC-MOSFETs, die besonders in der Automobilindustrie, bei Elektrofahrzeugen, IT-Stromversorgungen, Photovoltaik-Wechselrichtern und Energiespeichersystemen zum Einsatz kommen.
Die Technologie von PNJ bietet unter anderem folgende Vorteile:
- Best-in-Class Temperaturstabilität des RDS(on)
- Sehr niedrige Rsp (RDS(on) x aktive Fläche)
- Extrem kleine Qgd
- Sehr geringe V(th) und RDS(on) Drift über die Lebensdauer
- Doppelte Lieferkettenstrategie
Besuchen Sie uns auf der PCIM, um mehr über unser Portfolio, unsere Partner und die neuesten Entwicklungen zu erfahren. Sie finden uns in der Halle 4A – Stand 109.
Bei Fragen oder für eine persönliche Beratung stehen wir Ihnen jederzeit gerne zur Verfügung. Nutzen Sie dafür gerne den folgenden Button zur Kontaktaufnahme:
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