SIC Module
Siliziumkarbid Halbleiter werden verstärkt für Anwendungen im Hochtemperaturbereich oder für hohe Spannungen eingesetzt. Siliziumkarbid hat einen weitaus höheren Bandabstand wie reines Silizium, d.h. es ist mehr Energie nötig um den Halbleiter vom sperrenden in den leitenden Zustand wechseln zu lassen. Daraus folgt, dass die Wahrscheinlichkeit eines unbeabsichtigtes Wechsels vom Sperrenden in den leitfähigen Zustand weitaus geringer ist wie bei reinen Silizium Halbleitern.
