IGBT - Eine Darlingtonstufe aus FET und Bipolar Transistor

Wollte man mit Bipolar Transistoren Spannungen und Ströme schalten gab es zwei Möglichkeiten, man konnte mit kleinen Steuerströmen kleine Ströme schalten. Oder mit großen Steuerströmen große Ströme schalten. Wollte man mit kleinen Steuerströmen große Ströme schalten war die Lösung eine Kaskadierung von Transistoren - auch Darlingtonstufe genannt. Dabei wirkt der erste Transistor wie ein Verstärker auf das Steuersignal und lässt dadurch das Schalten von großen Strömen mittels kleiner Steuerströme los.

Die später aufgekommenen Feld Effekt Transistoren brauchen zur Steuerung keine Ströme mehr, sie werden durch Anlegen einer Spannung und dem daraus resultierenden E-Feld aufgesteuert. 

Durch Kombination aus FET und Bipolar Transistor vereinte man die Vorteile beider Welten - der IGBT war geboren.