PN Junction
Weltmarke für SiC-Leistungsbauteile
Gegründet im September 2018, ist PN Junction Semiconductor (Zhejiang) Co., Ltd. ein führender Anbieter von Wide-Bandgap-Halbleiter-Leistungsbauelementen. Das Unternehmen spezialisiert sich auf Automobil-Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs und SiC-Schottky-Dioden (SBDs).
Die Produktpalette von PN Junction umfasst:
- SiC MOSFETs
- SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs)
- SiC Module
Diese Produkte finden breite Anwendung in Elektrofahrzeugen, IT-Ausrüstung, Photovoltaik-Wechselrichtern, Energiespeichersystemen und industriellen Anwendungen.
Technische Expertise und industrielle Vorteile
Der Gründer, Dr. Huang Xing, hat seit 2009 unter der Anleitung von Professor Jayant Baliga und Professor Alex Huang an der Entwicklung von SiC- und GaN-Leistungsbauelementen gearbeitet. Die Produkte von PN Junction erfüllen die AEC-Q101-Spezifikationen und sind somit ideal für verschiedene Kundenanwendungen.
Engagement
PN Junction Semiconductor treibt durch kontinuierliche Innovation und technische Exzellenz die Entwicklung der Halbleiterindustrie voran. Das Unternehmen bietet maßgeschneiderte, umfassende Lösungen für seine Kunden.
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