Relais von Sanyou

Die AC – Ladungsrelais unseres Herstellers Sanyou erfüllen den 3-kA-Kurzschlusstest gemäß IEC 62955 und zwangsgeführter Hilfskontakt - IEC 61810-3.

• SPV40 Serie: 2 Hauptkontakte 40 A + 1NC (Öffner, Hilfskontakt)
• SCP40 Serie: 4 Hauptkontakte 40 A + 1NC (Öffner, Hilfskontakt)

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Strom- und Temperaturmessung von S4sensors & Sunlord

• HALL-Effekt-Stromsensor „S4-CSA02“ von S4sensors mit sehr hohem magnetischen Empfindlichkeitsbereich von 5 bis >800 mV/mT und ohne Hysteresefehler. Einfache Integration in bestehende Sammelschienenkonstruktionen mit integrierter Streufeldimmunität

   

• NTC-Chip-Thermistoren von Sunlord: SDNT-Serie mit Nennleistung ¼ W, Widerstandswerten von 4,7 kΩ bis 220 kΩ. Bauformen: EIA01005 bis EIA0805

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Komponenten für die Hilfsstromversorgung

Kondensatoren von Samwha, Chemi-Con und Sunlord

• MLCCs von Samwha:
  • CS-Serie für allgemeine Anwendungen mit X7R - Keramik, Spannungsbereich von 6,5 V bis 50 V und Chip-Gehäusen EIA0402 bis EIA1812, (beispielsweise EIA1210 mit 25V bis 47µH verfügbar). Erhältlich in verschiedenen Versionen wie Soft-Term Anschlüsse, Open-Mode oder Floating-Mode mit verbesserten mechanischen Eigenschaften.

• Elektrolytkondensatoren von Chemi-Con:
  • KYC-, KYB-Serie, Nennspannung 16 V bis 100 V, Nennkapazität 68 µF bis 12 mF. Durch den Einsatz eines neu entwickelten Elekrolyten konnte der ESR weiter minimiert werden und damit der zulässige Ripple-Strom weiter erhöht werden.

• Hybrid-Polymerkondensator SMD-Type von Chemi-Con:  
  • Die Serien sind für einen Spannungsbereich von 25 V bis 80 V und Kapazitäten bis zu 1200 μF verfügbar.
  • Die HXK-Serie ist auf hohe Energiedichte optimiert - bis 4100 µF bei einer Größe 10x12,5 mm,
  • Die HXF-Serie für hohe Ströme optimiert bis 6000 mArms (125 °C@100 kHz)

• Tantal-Polymer-Kondensatoren von Sunlord:
  • Die TP-Serie mit neuer Elektrodenstruktur erreicht eine 25 % höhere Energie-Dichte im Vergleich zu Standardbauformen. Die Nennspannungen reichen von 2 V bis 100 V und der Kapazitätsbereich von 1 µF bis 1500 µF mit zulässigem Ripple-Strom bis 3000 mA.

Leistungsinduktivitäten von Sunlord

• Multilayer Leistungsinduktivitäten MCL-A: Induktivität 1 bis 10 µH, Nennstrom bis 900 mA (Bauformen: 2,0 x 1,2 mm – 2,5 x 2,0 mm)
• Geschirmte Leistungsinduktivitäten (Magnetpulver-Resin) SWPA: Induktivität 0,22~680 µH, Nennstrom bis zu 7,5 A (Bauformen 2,5 x 2,0 mm – 8 x 8 mm in vielen Höhenversionen) Kompatibel zum Industriestandard mit exzellentem Preis-Leistungsverhältnis
• Gemoldete Induktivitäten: MWSA / MWLA / MWFC: Induktivität 0,1 ~ 100 µH, Nennstrom bis zu 45 A, (4,2 x 4,4 mm – 22 x 23,5 mm), geeignet für hohe Schaltfrequenzen, Version MWFC mit Flachdraht und T-Core für höchste Effizienzen.

Ferritperlen von Sunlord

• PZ-Serie für Stromleitungen mit breitem Frequenzbereich zur EMI-Unterdrückung, geeignet bis 6 A, Baugrößen EIA0201-EIA1806 und Impedanzen von 5 Ohm bis 1000 Ohm (@ 100 MHz)
• GZ/GZ-C-Serie für die EMI-Unterdrückung bei niederfrequenten Signalen mit einem Gleichstromwiderstand DCR ab 30 mOhm und Strömen bis zu 2200 mA. Die Impedanzen bis zu 2,5 kOhm (@ 100 MHz)
• Darüber hinaus bietet Sunlord ein sehr umfassendes Sortiment an Ferritperlen, wie z. B. die UPZ/EPZ-Serie für höhere Ströme bis zu 10 A und die SZ/HZ-Serien zur Unterdrückung bis in den HF-Bereich.

Transformatoren von Sunlord – breites Anwendungsspektrum und Nennleistung

• Wickeltransformatoren (für Leistungen bis 15W)
• SEPIC-Wandler
  • gekoppelte Induktivitäten: ACPR (12,5 x 12,5 mm) Serie mit Induktivitäten von 3,9 bis 100 µH und Nennströmen von 1,5 bis 7 A.  
  • ungekoppelte (2in1) molded Induktivitäten wie AMPR (Größen 6,7 x 7,7 mm und 10,2 x 9,2 mm) mit Induktivitätsbereichen von 3,3 µH bis 22 µH und Nennstrom von 2 bis 8 A

Signal Relais von Sanyou

• Breites Sortiment an Signalrelais für Steuerungsanwendungen, verfügbar auch mit 2 Wechslerkontakten und geeignet für Umgebungstemperaturen von -40 °C bis +85 °C.
• DSY2Y Serie: zur Isolationsüberwachung
• SJ / SM2P / SMIA / SMIC Serien: für Ladepistolen – Interlock

LV-SGT-MOSFETs von Junshine

Leistungsoptimierte MOSFETs auf marktführendem Niveau mit vertikaler Integration und eigener MOSFET-Chip-Produktion in der EU.

• Diskrete Bauelemente:
  • ≥0,9 mOhm bei 30 V
  • ≥0,5 mOhm bei 40 V
  • ≥1,4 mOhm bei 100 V
  • ≥2,5 mOhm bei 150 V

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Komponenten für Signal - Kommunikation von Sunlord

Breites Anwendungsspektrum verfügbar:

• für USB, HDMI: Drahtgewickelte Gleichtaktdrossel SDCW in den Bauformen 1,2 x 1,3 mm bis 4,5 x 3,2 mm und Impedanzen von 14 bis 2200 Ohm bei 100 MHz
• für CAN, CAN-FD / Ethernet 100T / 1000T …: AMCW-Serie mit Automotive Zertifizierung in den Baugrößen EIA0805 – EIA1812
• für MIPI / HDMI / USB, etc.: SDMM-Multilayer Gleichtaktdrossel auf LTCC-Basis, verfügbar in der Bauformen 0,65 mm x 0,5 mm bis 0,9 mm x 0,68 mm und mit Impedanzen von 12 bis 550 Ohm @100 MHz,
• Verfügbar auch als 3-Leiter-Gleichtaktfilter SDMM0906H (MIPI C-PHY-Interface) 

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Lade-Konnektivitätslösungen von Yonggui

• Ladebuchse:
  • YG1418, konform zu IEC 62196-1 und IEC 62196-2
• AC-Ladekabel:
  • YG1509, 32 A, individuell anpassbar gemäß IEC 61851-1
• AC-Ladekabel:
  • YG-ENCP, mit zwei Steckern an beiden Kabelenden, individuell konfigurierbar

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PFC - Induktivität / Sunlord:

• ARLDC-Serie: 1~3 phasig verfügbar, und Strombereiche bis zu 60 A. Es sind kundenspezifische Designs verfügbar.

IGBTs / SilverMicro: 

• Diese IGBTs bieten eine integrierte Strommessung auf Bare-Die-Ebene und zeichnen sich außerdem durch eine vertikale Integration mit eigener Chip-Produktion in der EU aus.
  • Diskrete Bauelemente: ≤ 75 A bei 1200 V
  • Module: ≤ 900 A bei 1200 V

SiC / IGBT-Schalter / PNJ, SemiQ & SilverMicro:

• PNJ- und SemiQ-SiC-MOSFETs mit isolierter Top Side-Kühlungstechnologie und dem niedrigsten spezifischen RDS(on) der Branche:
  • Diskrete Bauelemente und Bare-Dies:
    • ≥6,8 mOhm bei 650 V/750 V
    • ≥13 mOhm bei 1200 V
    • ≥13 mOhm bei 1500 V
    • ≥20 mOhm bei 1700 V
  • Module:
    • ≥1 mOhm bei 750 V
    • ≥1,6 mOhm bei 1200 V
    • ≥7 mOhm bei 1700 V

IGBT / SilverMicro:

• Diskrete Bauelemente: ≤75 A bei 1200 V
• Module: ≤900 A bei 1200 V

SiC Dioden / SemiQ:

• SiC-Dioden mit extrem reduzierten Schaltverlusten
  • In diskreten Packages TO-247 mit VDC 650 V bis zu 50 A verfügbar und in der gleichen Bauform 1200 VDC bis 60 A, sowie 1700 VDC bis 50 A.
  • In Modulen SOT-227 sind für 650 VDC & 1200 VDC bis 100 A möglich und für 1200 VDC in S7-Half Bridge Konfiguration bis 400 A

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Kondensatoren / Samwha, Chemi-Con & Sunlord

• MLCCs (Samwha) der CS-Serie für allgemeine Anwendungen mit X7R: Keramik, Spannungsbereich von 6,5 V bis 50 V und Chip-Gehäusen EIA0402 bis EIA1812, (beispielsweise EIA1210 mit 25 V bis 47 µH verfügbar). Erhältlich in verschiedenen Versionen wie Soft-Term Anschlüsse, Open-Mode oder Floating-Mode mit verbesserten mechanischen Eigenschaften.
• Elektrolytkondensatoren (Chemi-Con): KYC-Serie, KYB-Serie, Nennspannung 16 V bis 100 V, Nennkapazität 68 µF bis 12 mF. Durch den Einsatz eines neu entwickelten Elektrolyten konnte der ESR reduziert und damit der zulässige Ripple-Strom weiter erhöht werden.
• Hybrid-Polymerkondensator SMD-Typ (Chemi-Con): Die Serie ist für einen Spannungsbereich von 25 V bis 80 V und Kapazitäten bis zu 1200 μF verfügbar.
  • Die HXK-Serie ist auf hohe Energiedichte optimiert: bis 4100 µF bei einer Größe 10x12.5mm
  • Die HXF-Serie ist für hohe Ströme optimiert: bis 6000 mArms (125°C@100kHz)
• Tantal-Polymer-Kondensatoren (Sunlord): Die TP-Serie mit neuer Elektrodenstruktur erreicht eine 25 % höhere Energiedichte im Vergleich zu Standardbauformen. Die Nennspannungen reichen von 2 V bis 100 V, und der Kapazitätsbereich von 1 µF bis 1500 µF, mit zulässigem Ripple-Strom bis 3000 mA.

Leistungsinduktivitäten / Sunlord 

• Multilayer Leistungsinduktivitäten MCL-A: Induktivität 1 bis 10 µH, Nennstrom bis 900 mA (Bauformen: 2,0 x 1,2 mm – 2,5 x 2,0 mm).
• Geschirmte Leistungsinduktivitäten (Magnetpulver-Resin) SWPA: Induktivität 0,22~680 µH, Nennstrom bis zu 7,5 A (Bauformen 2,5 x 2,0 mm – 8 x 8 mm in vielen Höhenversionen) Kompatibel zum Industriestandard mit exzellentem Preis-Leistungsverhältnis.
• Gemoldete - Induktivitäten MWSA/ MWLA / MWFC: Induktivität 0,1 ~ 100 µH, Nennstrom bis zu 45 A, (4,2 x 4,4 mm – 22 x 23,5 mm), geeignet für hohe Schaltfrequenzen, Version MWFC mit Flachdraht und T-Core für höchste Effizienzen.

Ferritperlen / Sunlord   

• PZ-Serie für Stromleitungen mit breitem Frequenzbereich zur EMI-Unterdrückung, geeignet bis 6 A, Baugrößen EIA0201-EIA1806 und Impedanzen von 5 Ohm bis 1000 Ohm (@ 100 MHz).
• GZ/GZ-C-Serien für die EMI-Unterdrückung bei niederfrequenten Signalen mit einem Gleichstromwiderstand DCR ab 30 mOhm und Strömen bis zu 2200 mA. Die Impedanzen sind bis zu 2,5 kOhm (@ 100 MHz).
• Darüber hinaus bietet Sunlord ein sehr umfassendes Sortiment an Ferritperlen, wie z. B. die UPZ/EPZ-Serien für höhere Ströme bis zu 10 A und die SZ/HZ-Serien zur Unterdrückung bis in den HF-Bereich.  

Transformator / Sunlord - breites Anwendungsspektrum und Nennleistung

• Gate Drive Transformer / Current Sense Transformer (für Leistungen bis 15W).
• Lower-Power Transformers EE / EP Core.
• Ringkerntransformatoren für Power-Line-Kommunikation ALTWR-HJ-Series
• SEPIC-Wandler  
  • Gekoppelte Induktivitäten ACPR (12,5 x 12,5 mm) Serie mit Induktivitäten von 3,9 bis 100 µH und Nennströmen von 1,5 bis 7 A.  
  • Ungekoppelte (2in1) Molded Induktivitäten wie AMPR (Größen 6,7 x 7,7 mm und 10,2 x 9,2 mm) mit Induktivitätsbereichen von 3,3 µH bis 22 µH und Nennstrom von 2 bis 8 A.

Signal Relais / Sanyou Sanyou General - Power Relays

• Breites Sortiment an Signalrelais für Steuerungsanwendungen, verfügbar auch mit zwei Wechslerkontakten und geeignet für Umgebungstemperaturen von -40 °C bis +85 °C.
  • DSYSY Serie: zur Isolationsüberwachung.
  • SJ / SM2P / SMIA / SMIC Serien: für Ladepistolen – Interlock.

LV-SGT-MOSFETs / Junshine:  

• Diese MOSFETs bieten leistungsoptimierte MOSFETs auf marktführendem Niveau und vertikale Integration mit eigener MOSFET-Chip-Produktion in der EU.
• Diskrete Bauelemente:
  • ≥0,9 mOhm bei 30 V
  • ≥0,5 mOhm bei 40 V
  • ≥1,4 mOhm bei 100 V
  • ≥2,5 mOhm bei 150 V

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DC-Link-Kondensator / Chemi-Con & Faratronic

• Elektrolytkondensatoren von Chemi-Con.
• Screw Terminal:
  • U33F mit Nennspannung 350 ~ 500 VDC und Kapazitäten von 1200 µF ~ 15 mF.
  • LXU-Serie mit Nennspannung 400 ~ 450 VDC und Kapazität bis 15 mF.
• Snap-In:  
  • LHX, KHX, LHU, KHU.
  • Kapazität bis zu 2410 µF und Rippelstrom bis zu 6 Arms.

Folienkondensatoren: Faratronic

• Screw Terminal:
  • Typ C3B mit verschiedenen Anschlussgrößen in Aluminiumgehäuse, hervorragenden Selbstheilungseigenschaften, Nennspannungen bis zu 4 kV und Kapazitäten bis zu 5,6 mF.
• PCB-Typ: C3D, C3C (125°C Version) C3D(S) Miniatur Box-Kondensator mit einem Bereich bis zu 140 µF und Nennspannungen bis zu 1200 V, bald auch bis zu 2000 V.
   

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Resonanzkondensator: Faratronic 

• C32, C82: Ein- und doppelseitige Metallisierungstypen mit Nennspannungen von 160 Vdc bis 2000 Vdc.

IGBTs / SilverMicro: 

• Diese IGBTs bieten eine integrierte Strommessung auf Bare-Die-Ebene und zeichnen sich außerdem durch eine vertikale Integration mit eigener Chip-Produktion in der EU aus.
  • Diskrete Bauelemente: ≤ 75 A bei 1200 V
  • Module: ≤ 900 A bei 1200 V

SiC / IGBT-Schalter / PNJ, SemiQ & SilverMicro:

• PNJ- und SemiQ-SiC-MOSFETs 
  Mit isolierter Top Side-Kühlungstechnologie und dem niedrigsten spezifischen RDS(on) der Branche:
  • Diskrete Bauelemente und Bare Dies:
    • ≥6,8 mOhm bei 650 V/750 V
    • ≥13 mOhm bei 1200 V
    • ≥13 mOhm bei 1500 V
    • ≥20 mOhm bei 1700 V
  • Module:
    • ≥1 mOhm bei 750 V
    • ≥1,6 mOhm bei 1200 V
    • ≥7 mOhm bei 1700 V

IGBT / SilverMicro:

• Diskrete Bauelemente: ≤75 A bei 1200 V
• Module: ≤900 A bei 1200 V

Hochleistungstransformatoren und -induktoren / Sunlord

Die Hochleistungstransformatoren von Sunlord sind auf höchste Effizienz ausgelegt. 

• Breites Spektrum an Technologien und Plattformen.
• Mit integrierter Resonanzinduktivität.
• Hochleistungs-Boost-Induktivität.
• DC/DC- und LLC-Transformatoren.
• Planar Transformatoren.
   

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HVDC-Relais / Sanyou, Hochspannungs-Gleichstromrelais

• SEF-Serie: Nennspannung 450 VDC, Nennstrom 20 A, 40 A & 200 A.
• SEC-Serie: Nennspannung 750 VDC, Nennstrom 150 A bis 350 A mit Hilfskontakt.
• SEL-Serie: Nennspannung 750 bis 1000 VDC, Nennstrom 100 A bis 600 A.
• SEP-Serie: Nennspannung 1500 VDC, Nennstrom bis zu 400 A mit Hilfskontakt.

Sicherungen / Sinofuse (Synoelec) (gemäß IEC60269/UL248)

• RS309-MM-Serie: Schnellschmelzsicherung (Bolzenanschluss), Nennstrom 5 A ~ 1200 A, Nenn-Spannungen 750 ~ 1000 VDC.
• RSZ307-Serie: Schnellschmelzsicherung bis 1500 VDC, Nennstrom 100 A bis 3000 A und ein Ausschaltvermögen bis 250 kA (auch für Batteriespeichersysteme geeignet).
   

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DC-Glättung / Faratronic & Chemi-Con

• Folienkondensatoren / Faratronic
  • C3C / C3D: Box-Kondensatoren mit Nennspannungen bis 1200 V (bald bis 2000 V) und Kapazitäten bis 140 µF.
• MLCC / Chemi-Con
  • SMD – Version: NTS-Version mit X7R / X7S - Keramik und Nennspannungen bis zu 500 V z.B. Nennspannung 500 V/ 1,2 µF [EIA3025] , die Serie NTD in Radial-Lead verfügbar
  • NTJ-Serie: Metall-CAP (stacked) Kondensator mit Nennspannungen bis 250VDC in 7,8 x 6,6 mm bis 3,3 µF verfügbar.
     

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