ACDC Power Supply BSB

Vom Lieferanten Faratronic werden Folienkondensatoren wie X2 der Produktserie C42, C4V (125°C) und den Y2 der Produktserie C43 geboten, wie auch Folienkondensatoren der Serie C6A für Netzfilter. Für Anwendungsfälle im Außenbereich gibt es für die genannten X und Y Folienkondensatoren entsprechende THB Varianten mit erhöhter Robustheit.

Eigenschaften X-Y Kondensatoren: 

• Rated voltage up to 480Vac
• Capacitance up to 27.0µF 

Sunlord bietet als unser Hersteller für Wickelgüter Stromkompensierte Netzdrosseln, PFC-Spulen, Speicherinduktivitäten, SMD-Ferrite und Transformatoren.

Eigenschaften Stromkompensierte Ringkern-Netzdrosseln der ARCDC Produktserie: 

• Varianten: 2-, 3- und 4-Phasen
• Nennströme : 0,5A bis 50A
• Impedanzen: 1 kOhm bis 4 kOhm
• Induktivität: 1 mH – 20 mH

Kernmaterialien: nanokristallin, amorph

Eigenschaften SMD PFC- Induktivität der AMWPQ Serie:

• Induktivitäten 1,5 µH – 33 µH
• Nennstrom: < 60A

Eigenschaften THT PFC- Induktivität mit Ringkern (High Power) der ARLDC Serie:

• Induktivitäten beispielsweise 150µH bei 32A
• Für Leistungen bis 7kW

Lieferant Samwha Snubber Kondensatoren:

Der Lieferant Samwha bietet Folienkondensatoren der Produktserie CS und CQ, die von uns für Snubber empfohlen werden.

• z.B.: Gehäuse 5750, Dielektrikum X7R, Kapazität 10uF, Nennspannung 100V
• z.B: Gehäuse 3225, Dielektrikum X7R, Kapazität 4.7uF, Nennspannung 50V
• z.B: Gehäuse 3225, Dielektrikum X7R, Kapazität 10uF, Nennspannung 50V

Unser Lieferant S4Sensors der SPARC Group bietet Hall Stromsensoren:

• Stromsensor „S4-CSA02“

Unser Lieferant Sunlord bietet ein breites Sortiment an Transformatoren für unterschiedliche Anwendungen, wie SMPS-, Gate Driver- und Current Sense- Schaltungen, mit mehreren Kerngrößen und verschiedenen Nennleistungen gemäß Ihrer Spezifikation.

Eigenschaften Transformatoren der Produktserie ATWPEF:

• Temperaturbereich: -40°C~+150°C
• Kerngrößen: EF-09/12/13/15/35
• Betriebsspannung: ≤400V bis 1200V
• Output Power: Po ≤3W bis ≤100W
• Schaltfrequenzen: ≤100kHz bis ≤500kHz

Eigenschaften geschirmter Leistungsinduktivitäten der SWPA Produktserie: 

• Induktivität 0,22~680 µH
• Nennstrom bis zu 7,5 A
• Bauformen 2,5 x 2,0 mm – 8 x 8 mm in vielen Höhenversionen
• Kompatibel zum Industriestandard mit exzellenten Preis-Leistungsverhältnis
• Magnetpulvermaterial-Resin

Eigenschaften Gemoldete – Induktivitäten der Produktserie: MWSA/ MWLA / MWFC: 

• Induktivität 0,1 ~ 100 µH
• Nennstrom bis zu 45 A
• Bauform: 4,2 x 4,4 mm – 22 x 23,5 mm
• Geeignet für hohe Schaltfrequenzen, Version MWFC mit Flachdraht und T-Core für höchste Effizienz

Die Produktserien CS und CQ unseres Lieferant Samwha bietet MLCC Keramik Kondensatoren für z.B. DC/DC und isolierter AC/DC Schaltregler, die wir im Folgenden empfehlen:

• Voltage: 6.3 to 3000V
• Capacitance: 0.5pF to 100µF
• Size: 0201 to 2220 inch (0603 to 5750mm)

Eigenschaften SMD Chip Ferrite:   

Die APZ, AUPZ, AEPZ -Serien umfassen Ferrite zur Filterung von DC-Strom und Signalleitungen mit einer hohen Einfügedämpfung über einen weiten Frequenzbereich:

• Nennstrom: bis 10A
• Baugröße: EIA0201-EIA1806
• Impedanzen: 5 Ohm bis 1000 Ohm @100 MHz

Lieferant Junshine MOSFETs: 

Die Low Voltage-SGT MOSFETs von Junshine bieten marktführende Performance und eine vertikale Integration mit eigener MOSFET-Chip-Produktion in Europa. Verfügbare Diskrete Bauteile bieten einen niedrigen RDSon:

Eigenschaften Diskrete Bauteile:

• RDSon: ab ≥0.5mOhm
• Drain-Source Spannung: 40V bis 150V
• Gehäuse: DFN3x3, DFN5x6, TOLL, TOLT, TO220, TO263, TO247

Lieferant SilverMicro IGBTs: 

Die eigene vertikal Integrierte Chip-Produktion der SilverMicro IGBTs erfolgt in Europa.

Eigenschaften Diskrete IGBT:

• ≤120A bei 650V
• ≤75A bei 1200V 

Eigenschaften IGBT Module: 

• ≤600A bei 650V
• ≤900A bei 1200V
• ≤600A bei 1700V

Lieferant PNJ und SemiQ SiC MOSFETs: 

Unsere Lieferanten PNJ und SemiQ bieten diskrete MOSFETs in unterschiedlichen Gehäuseformen wie THT, SMD und mit isolierter Topside-Cooling-Technologie. 

Ein Vergleich der Gehäuseformen von Bauteilen unserer Mitbewerber und unserer Lieferanten zeigt: Die SiC-MOSFETs von SemiQ und PNJ im gleichen Gehäuse ermöglichen bei einer Gate-Source-Spannung von beispielsweise 750 V den auf dem Markt geringsten RDS(on).

Eigenschaften Diskret Bauteile:

• RDSon: ab ≥6.8mOhm
• Drain-Source Spannung: 750V bis 3300V
• Gehäuse: TO247, TO263, TOLL, TOLT, QDPAK, TO247, TSPAK

Eigenschaften Module:

• RDSon: ab ≥1.0mOhm
• Drain-Source Spannung: 750V bis 2000V
• Gehäuse: HPD, TPAK, MSOP9, ED3, Easy1B, Easy2B/3B, 62mm, SOT227, DCM, mini HPD, MSOP9